型號 | K4EBE304EB-EGCF |
類別 | DRAM LPDDR3 |
廠商 | SAMSUNG/三星 |
容量 | 32Gb |
架構 | x32 |
速率 | 1866Mbps |
工作電壓 | 1.8/1.2/1.2V |
工作溫度 | -25°C~85°C |
封裝/外殼 | FBGA-178 |
生產狀態 | Mass Production |
包裝方式 | |
封裝尺寸 | |
頁-尺寸 | |
塊-尺寸 | |
版本 | |
技術節點 | |
接口 | |
級別 | |
FGBA代碼 | |
功率 | |
Mono-Density | |
Cycle Time | |
Part Family | |
Model Name | |
DRAM Density | |
DRAM Mode | |
Part Status | |
Type | |
型號 | |
隨機寫入 | |
順序讀取 | |
順序寫入 | |
隨機讀取 | |
DIMM 類型 | |
內存區塊組織 | |
組件成分 | |
eStorage 密度 | |
DRAM 密度 | |
DRAM 類型 |
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