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型號

規格書

品牌

DRAM類型

容量

架構

速率

工作電壓

工作溫度

產品詳情

H9HCNNNBKMMLHR-NME

LPDDR4X

H9HCNNNBKMMLHR-NME

DRAM LPDDR4X

SK HYNIX/海力士

2GB

3733Mbps

1.8V/1.1V/0.6V

FBGA-200

Mass production

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H9HCNNNBKMALHR-NEE

LPDDR4X

H9HCNNNBKMALHR-NEE

DRAM LPDDR4X

SK HYNIX/海力士

2GB

x16

4266Mbps

1.8V/1.1V/0.6V

-25℃~85℃

FBGA-200

Mass production

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K4U6E3S4AB-MGCL

LPDDR4X

K4U6E3S4AB-MGCL

LPDDR4X

SAMSUNG/三星

16 Gb

x32

4266 Mbps

1.8 / 1.1 / 0.6 V

-25 ~ 85 °C

200 FBGA

Mass Production

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K4UBE3D4AM-GHCL

LPDDR4X

K4UBE3D4AM-GHCL

LPDDR4X

SAMSUNG/三星

32Gb

x32

4266 Mbps

1.8 / 1.1 / 0.6 V

-40 ~ 105 °C

200FBGA

Mass Production

四代超低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器

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H9HCNNNCRMBLPR-NEE

LPDDR4X

H9HCNNNCRMBLPR-NEE

LPDDR4X

SK hynix/海力士

4GB

4266Mbps

1.8V / 1.1V / 0.6V

432Ball

MP

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H9HCNNNCPMMLXR-NEE

LPDDR4X

H9HCNNNCPMMLXR-NEE

LPDDR4X

SK hynix/海力士

4GB

4266Mbps

1.8V / 1.1V / 0.6V

200Ball

MP

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H9HCNNN4KMMLHR-NME

LPDDR4X

H9HCNNN4KMMLHR-NME

LPDDR4X

SK hynix/海力士

0.5GB

3733Mbps

1.8V / 1.1V / 0.6V

200Ball

MP

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H9HKNNNFBMAVAR-NEH

LPDDR4X

H9HKNNNFBMAVAR-NEH

LPDDR4X

SK hynix/海力士

8GB

4266Mbps

1.8V / 1.1V / 0.6V

556Ball

MP

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H9HKNNNCRMBVAR-NEH

LPDDR4X

H9HKNNNCRMBVAR-NEH

LPDDR4X

SK hynix/海力士

4GB

4266Mbps

1.8V / 1.1V / 0.6V

556Ball

MP

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H54G56BYYQX089

LPDDR4X

H54G56BYYQX089

LPDDR4X

SK hynix/海力士

4GB

4266Mbps

1.8V / 1.1V / 0.6V

200Ball

MP

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