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型號

規格書

DRAM類型

容量

架構

速率

工作電壓

工作溫度

產品詳情

K4AAG085WA-BCWE

K4AAG085WA-BCWE

DDR4

SAMSUNG三星

16 Gb

2G x 8

3200 Mbps

1.2 V

0 ~ 85 °C

78FBGA

Sample

四代雙倍數據率同步動態隨機存儲器

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K4A8G085WC-BCTD

K4A8G085WC-BCTD

DDR4

SAMSUNG三星

8Gb

1G x 8

2666 Mbps

1.2 V

0 ~ 85 °C

78FBGA

Mass Production

四代雙倍數據率同步動態隨機存儲器

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K4A4G085WF-BCWE

K4A4G085WF-BCWE

DDR4

SAMSUNG三星

4 Gb

512M x 8

3200 Mbps

1.2 V

0 ~ 85 °C

78 FBGA

Mass Production

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H5CG44AGBDX018N

H5CG44AGBDX018N

SK hynix海力士

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K4AAG045WA-BCWE

K4AAG045WA-BCWE

SAMSUNG三星

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KLMBG1UCTC-B041

KLMBG1UCTC-B041

EMMC

SAMSUNG/三星

16GB

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K3KLALA0DM-MGCU

K3KLALA0DM-MGCU

LPDDR5X

SAMSUNG/三星

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MT62F4G32D8DV-023 WT:C

MT62F4G32D8DV-023 WT:C

LPDDR5

MICRON/美光

128Gb

4G x32

8533MTPS

Production

-25C to +85C

CL = Programmable

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H9JCNNNCP3MLYR-N6E

H9JCNNNCP3MLYR-N6E

LPDDR5

SK HYNIX

4GB

315Ball

6400Mbps

1.8V / 1.05V / 0.5V

CS

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H9JCNNNFA5MLYR-N6E

H9JCNNNFA5MLYR-N6E

LPDDR5

SK hynix

8GB

6400Mbps

1.8V / 1.05V / 0.5V

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H9JCNNNBK3MLYR-N6E

H9JCNNNBK3MLYR-N6E

LPDDR5

SK hynix

2GB

6400Mbps

1.8V / 1.05V / 0.5V

315Ball

CS

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